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本多 史憲; 目時 直人; 松田 達磨; 芳賀 芳範; Thamizhavel, A.*; 奥田 悠介*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦
Journal of Alloys and Compounds, 451(1-2), p.504 - 506, 2008/02
被引用回数:6 パーセンタイル:39.57(Chemistry, Physical)T=5.0KとT=4.2Kの2つの磁気転移を示す反強磁性体CeNiGeの基底状態における磁気構造を中性子散乱実験によって明らかにした。2.8Kにおいて磁気反射の探索を行ったところ、伝播ベクトル=[0 1 0]で表される磁気Bragg反射を確認した。得られた相対強度はCeモーメントが面内に存在し、軸から20度程度傾いた反強磁性構造で説明されることがわかった。またこれまで、この物質ではT以下で一つの磁気構造を示すと考えられていたが、この磁気構造は温度を上げると4.2Kで一次転移的に消失することを突き止めた。
渡邉 雅之; 南川 卓也; 和田 淳*; 並木 康祐*; 村田 昌樹*; 西原 寛*; 木村 貴海
no journal, ,
トリス(2-ピリジン)カルビノールは、希土類イオンと反応して希土類間を架橋する四座配位子として安定な錯体を生成する。希土類のトリフルオロメタンスルホン酸塩を合成を用いた場合、錯体の構造は、希土類イオン間の距離が非常に短いのに対して、硝酸塩を用いた同様の錯体では、希土類イオン間の距離は長くなる。硝酸イオンは単座及び二座の二つの配位モードを持つことから、硝酸イオンの配位により、配位数が増加したため、イオン半径が大きくなり、イオン間距離が長くなったものと考えられる。本報告では、イオン間距離の違いによる構造上の特徴と、錯体の性質について報告する。